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一種可促使LED更有效開發(fā)的新技術問世 據(jù)sify.com網站報道，LED照明主要依賴于氮化鎵薄膜的發(fā)光二極管。北卡羅萊納州立大學發(fā)現(xiàn)了一種新的技術，這項技術能將把薄膜中的缺陷降低2~3個數(shù)量級。Salah Bedair教授指出，這將提高發(fā)光材料的質量，因此，相同的輸入電能能夠多產生2倍的輸出光能，對于低電能輸入和紫外發(fā)光范圍的LED而言，這種增長是非常可觀的。 　　Bedair教授和Nadia El-Masry教授的實驗是將2微米厚的GaN薄膜的一半厚度嵌入到長2微米寬，0.5微米的空間間隙。研究人員在實驗影像中發(fā)現(xiàn)，許多缺陷會被吸引并困在這些空隙空間里。這使得空隙空間上減少了許多缺陷。因此，他們有效的在薄膜中放置一些空隙空間后，成功地防止缺陷蔓延到薄膜的其余部位。
　　如果沒有這個空隙技術，每平方厘米的氮化鎵薄膜將會有大約1010個缺陷。然而使用了這個技術后，每平方厘米的缺陷將會降到大約107。Bedair教授表示，“雖然這種技術將增加一個額外的制造步驟，但它會制造出更高質量、更有效的發(fā)光二極管。
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